P.ECVD设备的优点： 1）可以大面积均匀成膜、生长性好、能在较低的温度下形成致密的薄膜； 2）可防止热产生的损伤及相互材料的扩散； 3）可生长需要低温成膜及及反应速度慢的薄膜； 4）设备内的平行电极方便实现大面积化。
问答题简述PECVD薄膜沉积的原理。
问答题简述溅射成膜的原理，并举例说明哪种薄膜采用溅射方法成膜。
问答题简述阵列工艺的基本工艺流程。
问答题试根据5次光刻的工艺流程绘制等效电路。
问答题试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
