PECVD制备a-Si:H薄膜的,使用的气体是SiH4、H2,成膜温度大约为315℃,反应方程为:
问答题简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。
问答题简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
问答题简述PE和RIE设备的不同点。
问答题简述PECVD设备的特点。
问答题简述PECVD薄膜沉积的原理。