晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺陷。
单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。
A.扩散层质量 B.设计 C.光刻
单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
A.掩膜版 B.扩散 C.光刻
单项选择题反应离子腐蚀是（）。
A.化学刻蚀机理 B.物理刻蚀机理 C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
A.高斯 B.余误差 C.指数
单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。
A.热塑性树脂 B.热固性或橡胶型胶粘剂
