A.扩散层质量B.设计C.光刻pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（）的重要标志。……

单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。

A.掩膜版
B.扩散
C.光刻

单项选择题反应离子腐蚀是（）。

A.化学刻蚀机理
B.物理刻蚀机理
C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合

单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。

A.高斯
B.余误差
C.指数

单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（）。

A.热塑性树脂
B.热固性或橡胶型胶粘剂

单项选择题在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％（质量比）的硝化纤维素溶解于98％（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20％的运载剂与（）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。

A.80％～90％
B.10％～20％
C.40％-50％