在制造集成电路时，当漏电流达到（）时，器件将无法工作。……

单项选择题众所周知，在芯片的整个环节中，（）是最关键、市场份额最大的核心环节。

A.封装
B.晶圆制造
C.集成电路
D.芯片制造

单项选择题刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号，需要单独进行处理。这一处理过程就是（），包括在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。

A.蚀刻
B.封装
C.打磨
D.测试

单项选择题下列选项中，属于传统电子材料的是（）。

A.自旋电子材料
B.第三代半导体材料
C.陶瓷材料
D.纳米电子材料

单项选择题目前LTCC基板采用的散热方式主要是在功率元器件（）的基板中制作高热导率的金属化直通孔阵列；或在基板上开直通空腔，将功率元器件直接组装到散热板上。

A.上方
B.下方
C.中间
D.外面

单项选择题一个国家进入信息化社会的判据是：半导体产值占工农业总产值的（）。

A.0.5%
B.5%
C.1%
D.10%

单项选择题随着封装技术的不断发展，MCP、SiP、SoP、PoP、SCSP、SDP、WLP等封装结构成为主流，并为趋于（）方向封装发展的3D（三维）集成封装、TVS（硅通孔）集成等技术研发奠定了坚实的基础。

A.X
B.Y
C.Z
D.O

单项选择题（）年左右，我国成为世界第二大半导体消费市场。

A.1900
B.1950
C.2000
D.2010

单项选择题（）年，宾尼西和罗雷尔制造出世界上第一台扫描隧道显微镜。

A.1978年
B.1979年
C.1980年
D.1981年

单项选择题WLP就是直接在晶圆上进行大部分或全部的（）测试程序，之后再进行切割，制成单颗芯片。

A.包装
B.电气
C.封装
D.功能

单项选择题我国集成电路起步（），中科院计算机研究所在（）年成功研制了（）大型电子计算机。

A.晚、1976、1000万次
B.早、1976、1000万次
C.晚、1976、100万次
D.早、1976、100万次

单项选择题下列选项中，属于一维纳米材料的有（）。

A.纳米块
B.纳米棒
C.超晶格
D.纳米薄膜

单项选择题第（）代半导体材料是推动和支撑下一代产业革命的基础。

A.一
B.二
C.三
D.四

单项选择题EMIB技术最早由（）的Mahajan和Sane于2008年提出，后又经Braunisch和Starkston等改进，近年来已发展成为英特尔最具代表性的先进封装技术之一。

A.台积电
B.苹果
C.英特尔
D.微软

单项选择题在电力电子器件方面，最早最成熟的碳化硅器件是（）。

A.六角螺旋结构二极管
B.铅锌矿结构二极管
C.逆变二极管
D.肖特基势垒二极管

单项选择题大多数高温半导体材料仍处在（）研制阶段。

A.微商
B.实验室
C.小企业
D.社团