实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO₂^1/6。试根据这一实验结果推断氧化镍是（）型半导体。

填空题ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。

问答题比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 （1）掺0.1mg kg的As （2）掺0.1mg kg的As和0.05mg kg的Al （3）掺0.1mg kg的As和0.1mg kg的Al （4）掺1mg kg的Al

问答题什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

问答题判断下列物质是否可能为n型或p型半导体： （1）掺As的Ge （2）掺Ga的Ge

填空题砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。