填隙缺陷是在晶体的晶格空隙中本不应该有原子占据的空隙中无规则地填隙了多余的原子所造成的缺陷，这些多余的原子可能是组成晶体的自身原子，也可能是杂质原子。 空位缺陷是在晶格中原子或离子的格位没有被占据而出现空缺所造成的缺陷。 置换缺陷是指一种原子被另一种原子所置换。
问答题判断下列物质是否可能为n型或p型半导体： （1）掺As的Ge （2）掺Ga的Ge
填空题砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。
填空题TiOn2在氢气中加热时显蓝色，表明红光被吸收。Ti（IV）还原为Ti（III）相当于（）型掺杂。
填空题让10-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag+离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。
问答题MnCr2O4可能采取正常尖晶石结构和反尖晶石结构中的哪一种？为什么？
