简答题

比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。
（1）掺0.1mg/kg的As
（2）掺0.1mg/kg的As和0.05mg/kg的Al
（3）掺0.1mg/kg的As和0.1mg/kg的Al
（4）掺1mg/kg的Al

问答题什么是填隙缺陷？什么是空位缺陷？什么是置换缺陷？

问答题判断下列物质是否可能为n型或p型半导体： （1）掺As的Ge （2）掺Ga的Ge

填空题砷化镓是一种有用的半导体。将Se掺入（在As的位置上）属于（）型半导体。

填空题TiOn2在氢气中加热时显蓝色，表明红光被吸收。Ti（IV）还原为Ti（III）相当于（）型掺杂。

填空题让10-3mol电子通过温度为165℃，在两个Ag电极之间夹一片AgI（AgI是Ag+离子导体），两电极之间施加的电压为0.1V的电解池，阴极、阳极和AgI的质量定量变化（Ag的原子量108）为（）。