NaCl晶体中肖特基缺陷的生成能是指激发1molNaCl到晶体表面,在内部形成1mol成对的Na+空位VNa’和Cl-空位VCl所需的能量。而晶格能是指把1molNaCl晶体变为气态的Na+(g)和Cl-(g)所需的能量。因此晶格能要比肖特基缺陷的生成能大得多。
填空题实验测得在1300℃时氧化镍的电导率随平衡氧气压力而变化的关系是σ=常数·pO21 6。试根据这一实验结果推断氧化镍是()型半导体。
填空题ZnO加热,表面上发生热分解反应,生成的Zn向晶体内部扩散,生成非整比化合物Zn1+xO,这是()型半导体。NiO在氧气中反应,晶体变为阴离子过量的NiO1+x,这是()型半导体。
问答题比较锗在下列各种掺杂情况下的电导率的大小。 (1)掺0.1mg kg的As (2)掺0.1mg kg的As和0.05mg kg的Al (3)掺0.1mg kg的As和0.1mg kg的Al (4)掺1mg kg的Al
问答题什么是填隙缺陷?什么是空位缺陷?什么是置换缺陷?
问答题判断下列物质是否可能为n型或p型半导体: (1)掺As的Ge (2)掺Ga的Ge