判断题如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域,只有很少一部分透光,这种掩模版称为亮场掩模版。
判断题掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形状的铬等材料,形成明暗相间的图形。
判断题制作MOS管时,一般先进行源的注入,再进行漏的注入。
判断题CMOS制作时,源、漏、栅等结构都做在场氧化区。
判断题LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。
判断题制备多晶硅之前先做一层薄氧,这层薄氧是栅氧。
判断题制作场氧区的时候,氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。
判断题采用双阱工艺,可以实现PMOS和NMOS的独立控制。
判断题利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅,可以使得MOS电路特性得到改善,阈值电压下降。
判断题制作MOS管结构时,源漏虽然结构完全对称,但掺杂浓度不同。
判断题linux中命令输完以空格结尾。
判断题全定制设计和半定制设计相比,半定制设计的设计要求更高。
判断题N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。
判断题使用calibre工具做LVS验证时,需要用到设计规则文件。
判断题在calibre做LVS验证时,RVE界面显示的错误大类主要有端口错误、器件错误、线网错误和参数错误。