MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光刻、源漏注入、接触孔光刻、金属淀积及反刻、钝-找考题网

判断题当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质（正胶还是负胶）。

判断题如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种掩模版称为亮场掩模版。

判断题掩模版一般是在石英玻璃涂抹上一定形状的铬等材料，形成明暗相间的图形。

判断题制作MOS管时，一般先进行源的注入，再进行漏的注入。

判断题CMOS制作时，源、漏、栅等结构都做在场氧化区。

判断题LOCOS工艺主要用于制作MOS管的栅氧结构。

判断题制备多晶硅之前先做一层薄氧，这层薄氧是栅氧。

判断题制作场氧区的时候，氮化硅的作用是作为LOCOS氧化时的掩蔽层。

判断题采用双阱工艺，可以实现PMOS和NMOS的独立控制。

判断题利用重掺杂的多晶硅作为MOS管的栅，可以使得MOS电路特性得到改善，阈值电压下降。

判断题制作MOS管结构时，源漏虽然结构完全对称，但掺杂浓度不同。

判断题linux中命令输完以空格结尾。

判断题全定制设计和半定制设计相比，半定制设计的设计要求更高。

判断题N阱内放置的保护环类型是N+掺杂类型。

判断题使用calibre工具做LVS验证时，需要用到设计规则文件。

MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光刻、源漏注入、接触孔光刻、金属淀积及反刻、钝化等工艺。