多晶硅薄膜 用TEOS（正硅酸乙酯）-臭氧方法淀积SiO2 Si（C2H5O4）＋8O3 SiO2＋10H2O＋8CO2 优点： A.低温淀积； B.高的深宽比填隙能力； C.避免硅片表面和边角损伤。
问答题质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别？
问答题名词解释：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（将这些名词翻译成中文并做出解释）。
问答题例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的作用。
问答题描述CVD反应中的8个步骤。
问答题例举淀积的5种主要技术。
