1、质量传输限制淀积速率 淀积速率受反应物传输速度限制，即不能提供足够的反应物到衬底表面，速率对温度不敏感（如高压CVD）。 2、反应速度限制淀积速率 淀积速率受反应速度限制，这是由于反应温度或压力过低（传输速率快），提供驱动反应的能量不足，反应速率低于反应物传输速度。 可以通过加温、加压提高反应速度。
问答题名词解释：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（将这些名词翻译成中文并做出解释）。
问答题例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的作用。
问答题描述CVD反应中的8个步骤。
问答题例举淀积的5种主要技术。
问答题什么是多层金属化？它对芯片加工来说为什么是必需的？
