在集成电路制作好以后，为了防制外部杂质（如潮气、腐蚀性气体、灰尘等）侵入硅片，通常在硅片表面加上一层保护膜，称为钝化。 目前，广泛采用的是氮化硅做保护膜，其加工过程是在450℃以下的低温中，利用高频放电，使SiH4和NH3气体分解，从而形成氮化硅而落在硅片上。
问答题试给出CMOS工艺操作的三种基本类型，并说明每种类型的主要作用及主要工艺。
问答题什么是中测？什么是成测？探针测试和芯片成品率的统计分别是在哪一次测试？
问答题确定有光刻胶覆盖硅片的三个生产区，并简单说明光刻胶在各区的作用。
问答题光刻的主要目的是什么？光刻胶再光刻中的作用是什么？
问答题哪些基本工艺方法要用到掩膜板？并说明在这些工艺中掩膜板的主要作用。
