A.漏源电阻,栅源电阻B.跨导,漏源电导C.漏源电导,跨导D.漏源电阻,跨导
单项选择题当MOSFET的栅极电压较大时,随着温度的温度升高,漏极电流将()。
A.减小B.不变C.不确定D.增大
单项选择题以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通?()
A.增加栅氧化层厚度B.增加沟道宽度C.减小沟道长度D.增加衬底掺杂浓度
单项选择题以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅?()
A.降低衬底掺杂浓度B.增加栅氧化层厚度C.增加沟道宽度D.减小沟道长度
单项选择题以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流?()
A.减小栅氧化层厚度B.减小沟道宽度C.提高阈值电压D.增加沟道长度
单项选择题ICBO代表()时的集电极电流,称为共基极反向截止电流。
A.发射极开路、集电结反偏B.发射极反偏、集电结开路C.发射极短路、集电结反偏D.发射极正偏、集电结反偏