离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成；损伤晶体空位密度大于非损伤晶体，且存在大量间隙原子和其他缺陷，使扩散系数增大，扩散效应增强；故，虽然热退火温度低于热扩散温度，但杂质的扩散也是非常明显的，出现高斯展宽与拖尾现象。
问答题什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯分布有什么区别？
问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？
问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜 衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1 10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
问答题下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
