论述题 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜 衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1 10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。

问答题离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？

问答题下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。

问答题Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。

问答题一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？