非对称性常用偏斜度γ(skewness)表示:γ为负值表明杂质分布在表面一侧的浓度增加,即x<Rp区域浓度增加。畸变用峭度β(kurtosis)表示:峭度越大,高斯曲线的顶部越平,标准高斯曲线的峭度为3。LSS的理论是呈标准的高斯分布,不同的杂质会不同程度地偏离对称的高斯分布。如图中所示。
问答题什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?
问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入,若掩蔽膜 衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1 10000,掩蔽膜的厚度应为多少?用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
问答题离子在靶内运动时,损失能量可分核阻滞和电子阻滞,解释什么是核阻滞、电子阻滞?两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系?
问答题下图为一个典型的离子注入系统。(1)给出1~6数字标识部分的名称,简述其作用。(2)阐述部件2的工作原理。
问答题Si-SiO2界面电荷有哪几种?简述其来源及处理办法。