问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-k）材料的必要性。
问答题画出侧墙转移工艺和self-aligned double patterning（SADP）的工艺流程图。
问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
问答题浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
问答题什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如何解决？
