问答题个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为0.6，设k1=0.6，n=0.5，计算其理论分辨率和焦深。
问答题在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？
问答题根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？
问答题在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。
问答题采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
