问答题采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?
问答题根据原理分类,干法刻蚀分成几种?各有什么特点?
问答题简述BOE(或BHF)刻蚀SiO2的原理。
问答题射频放电与直流放电相比有何优点?
问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线,请分别写出a-g各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段?试解释其工作原理。