简答题 简述DR 按X 线曝光方式分类。

问答题筒述平板探测器性能的评价。

问答题简述非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的成像比较。

单项选择题非晶硒X 线探测器的内部结露引起的是（）。

A.图像不均匀
B.从图像边缘开始，向图像中央突出的半圆形指甲盖形伪影
C.信号的扩散
D.噪声增加
E.电子电路短路

单项选择题非晶硒X 线探测器的结晶引起的是（）。

A.图像不均匀
B.从图像边缘开始，向图像中央突出的半圆形指甲盖形伪影
C.信号的扩散
D.噪声增加
E.电子电路短路

单项选择题非晶硒X 线探测器的脱膜引起的是（）。

A.图像不均匀
B.从图像边缘开始，向图像中央突出的半圆形指甲盖形伪影
C.信号的扩散
D.噪声增加
E.电子电路短路

单项选择题静态非晶体硒探测器采用了的非晶硒涂层厚度是（）。

A.20μm
B.100μm
C.500μm
D.1000μm
E.5000μm

单项选择题非晶硒探测器在环境温度变化剧烈出现脱膜现象是每小时大于（）。

A.5℃
B.10℃
C.20℃
D.35℃
E.45℃

单项选择题多块CCD 型探测器是指（）。

A.2块芯片
B.4块芯片
C.6块芯片
D.8块芯片
E.12块芯片

单项选择题采用光学缩微技术的探测器是（）。

A.非晶硒平板探测器
B.非晶硅平板探测器
C.CCD 探测器
D.多丝正比电离室探测器
E.闪烁晶体光电二极管线阵探测器

单项选择题会对非晶硒探测器造成结晶伤害的温度是高于（）。

A.20℃
B.25℃
C.30℃
D.35℃
E.40℃

单项选择题会对非晶硒探测器造成脱膜伤害的温度是低于（）。

A.0℃
B.5℃
C.10℃
D.20℃
E.35℃

单项选择题目前动态平板探测器已实现的动态采集是（）。

A.12f/s
B.24f/s
C.30f/s
D.120f/s
E.300f/s

单项选择题静态非晶硒探测器外加电压强度是（）。

A.0〜500V
B.0〜1000V
C.0〜2000V
D.0〜5000V
E.0〜10000V

单项选择题动态非晶体硒探测器外加电压强度提高到（）。

A.100V
B.500V
C.1000V
D.5000V
E.10000V

单项选择题动态非晶体硒探测器采用了的非晶硒涂层厚度是（）。

A.20μm
B.100μm
C.500μm
D.1000μm
E.5000μm