掺硼的单晶硅电阻率为: 掺磷的单晶硅电阻率为: 因为电子的迁移率大于空穴的迁移率,所以在其它条件不变的情况下,N型硅的导电性较P型硅的导电性高。
问答题某硅单晶样品中掺有1016cm-3的硼、1016cm-3的磷和1015cm-3镓,试分析该材料是N型半导体还是P型半导体?准自由电子和空穴浓度各为多少?
问答题某单晶硅样品中每立方厘米掺有1015个硼原子,试计算K300时该样品的准自由电子浓度、空穴浓度以及费米能级。如果掺入的是磷原子它们又是多少?
问答题硅中的施主杂质浓度最高为多少时材料是非简并的?
问答题如果在单晶硅中分别掺入1015 cm3的磷和1015 cm3的硼,试计算300K时,电子占据杂质能级的概率。根据计算结果检验常温下杂质几乎完全电离的假设是否正确。
问答题计算速度为107cm s的自由电子的德布洛意波长。