A.P扩散速度加快B.扩入Si的P总量下降C.在SiO2 Si界面Si一侧的P耗竭（是指低于SiO2一侧）D.……

多项选择题‏硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？（）

A.杂质表面浓度< N_s
B.杂质表面浓度=N_s
C.应再扩散71min
D.表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度

单项选择题多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备？（）

A.磁控溅射
B.VPE
C.LPCVD
D.APCVD

单项选择题‎基于LSS理论，离子注入受到靶原子核与电子的阻止，（）。

A.核阻止和电子阻止是独立的
B.核阻止本领>电子阻止本领
C.核阻止本领< 电子阻止本领
D.核阻止和电子阻止与入射离子能量无关

单项选择题‎CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜（如SiO2）的密度（）

A.温度升高，略有下降
B.与温度无关
C.温度升高，略有增加
D.都相同

单项选择题看图判断下列描述是否正确？（）

A.是有限源扩散，杂质浓度分布是高斯函数
B.是有限源扩散，杂质浓度分布是余误差函数
C.是恒定源扩散，杂质浓度分布是余误差函数
D.是恒定源扩散，杂质浓度分布是高斯函数