A.化学物质B.金属离子C.融解的氧气D.细菌如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）……

单项选择题目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

A.注氧隔离法
B.智能剥离法
C.键合再减薄技术
D.以上都是

单项选择题硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

A.制备硅烷
B.硅烷热分解
C.精馏
D.固体吸附法

多项选择题多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。

A.印刷多层法
B.生板叠层法
C.磁控溅射法
D.厚膜多层法

单项选择题厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

A.有机物颗粒
B.塑料颗粒
C.玻璃颗粒
D.陶瓷颗粒

单项选择题典型的薄膜生长工艺一般采用物理气相淀积法进行，以下不属于物理气相淀积工艺的为（）。

A.真空蒸镀
B.溅射镀膜
C.化学镀
D.电镀