问答题简述单块CCD 型探测器的成像过程。
问答题简述单块CCD 型探测器结构。
问答题简述多块CCD 型探测器结构与成像过程。
问答题简述非晶硅平板探测器成像的基本过程。
问答题简述非晶硅平板探测器电荷势阱像素技术。
问答题简述非晶硅平板探测器双TFT 控制技术。
问答题简述碘化铯非晶硅平板探测器构造。
问答题简述非晶硒平板探测器的成像过程。
问答题简述非晶硒平板探测器的二种类型。
问答题简述DR 基本特点。
问答题简述DR 基本构成单元。
问答题简述DR 按X 线曝光方式分类。
问答题筒述平板探测器性能的评价。
问答题简述非晶硅平板探测器与非晶硒平板探测器的成像比较。
单项选择题非晶硒X 线探测器的内部结露引起的是()。
A.图像不均匀B.从图像边缘开始,向图像中央突出的半圆形指甲盖形伪影C.信号的扩散D.噪声增加E.电子电路短路