找考题网-背景图

问答题

简答题什么是局部氧化？有什么作用？

【参考答案】

Si集成电路中、通过选择氧化的工艺来形成隔离区的一种方法。
作用：
1.提高场区阈值电压；
2.减缓表面台阶；
3.减小表面漏电流。

<上一题目录下一题>

热门试题

问答题简述双极型工艺流程。

问答题光刻的步骤是哪些？

问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。

问答题简述P衬底N阱CMOS的工艺流程。

问答题CMOS集成电路有哪些特点？

问答题埋层有什么作用？说明埋层与衬底掺杂类型、掺杂浓度之间的关系。

问答题P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同？

问答题简述硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系。

问答题MEMS定义是什么？

问答题设计制备NMOSFET的工艺，并画出流程图。

问答题简述光刻的工艺过程。

问答题集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，各工艺的主要作用是什么？

问答题氧化硅的主要作用有哪些？

问答题集成电路工艺划分为哪些？

问答题什么是退火？