Si集成电路中、通过选择氧化的工艺来形成隔离区的一种方法。 作用： 1.提高场区阈值电压； 2.减缓表面台阶； 3.减小表面漏电流。
问答题简述双极型工艺流程。
问答题光刻的步骤是哪些？
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
问答题简述P衬底N阱CMOS的工艺流程。
问答题CMOS集成电路有哪些特点？
