简答题 简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。

【参考答案】

接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。
采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~......

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