简答题

试画出用预充电逻辑实现

的电路原理图的电路图，并画出在一个时钟周期内，当A=1、B=0、C=1时，X的变化波形。

问答题试画出下列版图的电路原理图

问答题设1μmCMOS工艺的参数为：栅氧化层厚度35nm，栅氧化层介电常数ε0εox为3.45x10-13F cm，电子迁移率500cm2 V.s空穴迁移率200cm2 V.s，阈值电压Vtn=-Vtp=0.8V晶体管最小栅宽3μm，电源电压3V，有两个反相器相连（栅长相等），前一级为最小尺寸，后一级宽长比为前一级的3倍，驱动的负载CL=10fF，试求反相器链的延迟时间。

问答题画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下图的输入画出X，Y的波形（不考虑延迟）。

问答题下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF μm2）。

问答题在下图中，分别给出测试1 1、3 1、4 0错误的测试向量。