问答题

简答题
下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：C_ox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF/μm²）。

【参考答案】

金属与衬底：58λ²×0.03=1.74λ²，多晶硅栅电容：4λ²×0.6=2.4λ²，
多晶硅与衬底：24λ²×0.045=1.08λ²，总电容=5.22λ²fF/μm²。

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