画出下列版图的电路原理图。
问答题试画出用预充电逻辑实现 的电路原理图的电路图,并画出在一个时钟周期内,当A=1、B=0、C=1时,X的变化波形。
问答题试画出下列版图的电路原理图
问答题设1μmCMOS工艺的参数为:栅氧化层厚度35nm,栅氧化层介电常数ε0εox为3.45x10-13F cm,电子迁移率500cm2 V.s空穴迁移率200cm2 V.s,阈值电压Vtn=-Vtp=0.8V晶体管最小栅宽3μm,电源电压3V,有两个反相器相连(栅长相等),前一级为最小尺寸,后一级宽长比为前一级的3倍,驱动的负载CL=10fF,试求反相器链的延迟时间。
问答题画出用多米诺逻辑实现X=AB+C,Y=XD的电路图,并根据下图的输入画出X,Y的波形(不考虑延迟)。
问答题下图是一个电路的部分版图,求A到B的总电容,已知某工艺的典型面电容值为:Cox为0.6,金属与衬地为0.03,金属与多晶硅为0.045,金属与扩区为0.05,多晶硅与衬地为0.045,面电容的单位为fF μm2)。