简答题

画出用多米诺逻辑实现X=AB+C，Y=XD的电路图，并根据下图的输入画出X，Y的波形（不考虑延迟）。

问答题下图是一个电路的部分版图，求A到B的总电容，已知某工艺的典型面电容值为：Cox为0.6，金属与衬地为0.03，金属与多晶硅为0.045，金属与扩区为0.05，多晶硅与衬地为0.045，面电容的单位为fF μm2）。

问答题在下图中，分别给出测试1 1、3 1、4 0错误的测试向量。

问答题在下图中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。

问答题试用Weinberger阵列结构实现下列逻辑表达式：

问答题用预充电逻辑设计 画出电路图。若电路内部结点电容C=5fF，负载电容CL=10fF.VDD=1V，试由下图输入信号画出的波形，并标出相应的电压值。