在超高真空中(气压<10-6Pa),通过精确控制各组分元素的分子束流,喷射到一定温度的基片表面,并在基片表面实现薄膜与基片的共格外延生长。 若外延层与基片为同种材料,则称为同质外延,如在单晶硅上的硅外延层等;若外延层与基片为不同材料,则称为异质外延,如蓝宝石上外延硅层等。
问答题真空蒸镀的入射原子与基片就可能出现哪几种相互作用?
问答题物理气相沉积(PVD)按沉积薄膜气相物质的生成方式和特征主要可以分为哪几种?
问答题薄膜有哪些特征?举例说明薄膜的种类和应用。
问答题辉光放电的原理与应用是什么?
问答题三种薄膜生长方式的内在原因是什么?
问答题简述物理气相沉积(PVD)与化学气相沉积(CVD)的异同点。
问答题化学热处理常用的非金属和金属渗入元素有哪几种?
问答题根据含渗入元素的介质所处状态不同,化学热处理可分哪几类?
问答题表面热处理与表面化学热处理的区别是什么?
问答题形变强化时形变硬化层中产生的两种变化是什么?
问答题简述离子注入表面改性的机理和特征。
问答题离子渗氮比普通气体渗氮速度快的原因是什么?
问答题金属表面化学热处理的目的是什么?
问答题何谓表面热处理?
问答题简要说明形变强化的原理和机理。