A.时序信息 B.逻辑功能信息 C.功耗信息 D.面积信息
单项选择题表面平垣化的方式有很多种,效果最好的方式是()
A.Ar回蚀法 B.PSG或BPSG的热回流 C.SOG回蚀法 D.化学机械抛光
单项选择题在大马士革铜工艺中,铜薄膜通常采用()方式获得。
A.物理气相沉积 B.化学气相沉积 C.电化学镀 D.热氧化
单项选择题在0.13um集成电路技术中,铜取代铝成为最主要的互连金属的主要原因是()
A.铜具有更高的导电率 B.铜具有更低的导电率 C.铜更容易刻蚀加工 D.铜具有更好热导率
单项选择题在集成电路多层布线中,通常采用钨插销连接各层布线的最主要原因()
A.钨的导电率比铝更低 B.钨的刻蚀比铝更容易 C.采用化学气相沉积法制备的钨具有更好的填孔能力 D.钨与硅的接触性能更好
单项选择题集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()
A.溅射物理气相沉积 B.蒸发物理气相沉积 C.等离子增强化学气相沉积 D.低压化学气相沉积