A.薄膜真空规B.皮拉尼真空规C.热偶真空规D.电离真空规
多项选择题与小平面源相比,点蒸发源具有()等特点。
A.膜厚分布均匀B.沉积速率较低C.薄膜纯度高D.原料浪费少
多项选择题PECVD中,等离子体的激励方式有()。
A.电子回旋共振B.直流电场C.微波耦合D.射频电场
多项选择题不同压力下,气体的流动状态可以分为()。
A.粘滞流B.粒子流C.过渡流D.分子流
单项选择题欲在一批小尺寸的基板上用小平面源蒸发沉积厚度一致的薄膜,基板相对于蒸发源应该放置在()。
A.与小舟相切的球面上B.与小舟垂直的球面上C.与基板平行的方向上D.与基板垂直的方向上
单项选择题真空蒸发中常用的电阻蒸发金属发热材料不包括()。
A.钨/WB.钼/MoC.镍/NiD.钽/Ta