栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极。
问答题简述背沟道阻挡结构的优缺点。
问答题简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
问答题从电导率的角度思考，如何能制作出高性能的薄膜晶体管？提高载流子浓度可以吗？
问答题主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？
问答题简述MOSFET的两个电场。
