Si-SiO2界面电荷有哪几种?简述其来源及处理办法。
问答题一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表,玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。(1)在1200℃下,采用H2O氧化,使厚度增加0.5um需要多少时间?。(2)在1200℃下,采用干氧氧化,增加同样的厚度需要多少时间?
问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
问答题说明影响氧化速率的因素。
问答题简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程,并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。