关于MOS电容，以下说法正确的是（）

单项选择题已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则（）

A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构
B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构
C.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构
D.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构

单项选择题一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大
B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大
C.其阈值电压必定是负的
D.其衬底费米势肯定是负的

单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

A.其阈值电压应该是正的
B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的
C.积累状态时所加的栅电压应该是负的
D.其费米势应该是负的

单项选择题当三极管的共射电流放大系数下降为1时所对应的频率为（）

A.fM
B.fα
C.fβ
D.fT

单项选择题关于NPN管直流工作特性分析，不正确的是（）

A.温度增加，会使晶体管的反向电流增大
B.发射极电流是基极电流和集电极电流的总和
C.集电结反向电压增大，基区有效宽度减小
D.基区穿通会使晶体管的击穿电压增加