一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，（）

A.其阈值电压应该是正的
B.强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的
C.积累状态时所加的栅电压应该是负的
D.其费米势应该是负的

单项选择题当三极管的共射电流放大系数下降为1时所对应的频率为（）

A.fM
B.fα
C.fβ
D.fT

单项选择题关于NPN管直流工作特性分析，不正确的是（）

A.温度增加，会使晶体管的反向电流增大
B.发射极电流是基极电流和集电极电流的总和
C.集电结反向电压增大，基区有效宽度减小
D.基区穿通会使晶体管的击穿电压增加

单项选择题当Vce为25V，基极电流为80uA时，集电极电流为（）mA

A.10
B.14
C.12
D.8

单项选择题以下关于晶体管的直流放大系数的说法正确的是（）

A.如果α0远大于1，说明晶体管的放大性能很好
B.β0指共射极直流电流放大系数，一般希望其值远大于1
C.发射效率γ0描述的是载流子的发射效率，其值一般远大于1
D.基区输运系数β*描述的是基区中通过的载流子的多少，其值一般远大于1