在近似条件下，平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将V_bi用（）代替。

单项选择题采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（）成正比。

A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度

单项选择题采用耗尽近似，P型耗尽区内的（）完全扩散掉。

A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质

单项选择题p型空间电荷区由（）构成。

A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质

单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。

A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度

单项选择题‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。

A.2A/V²
B.3A/V²
C.4A/V²
D.1A/V²