采用耗尽近似，P型耗尽区内的（）完全扩散掉。

单项选择题p型空间电荷区由（）构成。

A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质

单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。

A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度

单项选择题‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。

A.2A/V²
B.3A/V²
C.4A/V²
D.1A/V²

单项选择题某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

A.40A
B.25A
C.36A
D.12A

单项选择题‏以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）

A.栅氧化层厚度
B.衬底掺杂浓度
C.沟道长度
D.氧化层固定电荷