空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。

单项选择题‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。

A.2A/V²
B.3A/V²
C.4A/V²
D.1A/V²

单项选择题某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

A.40A
B.25A
C.36A
D.12A

单项选择题‏以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）

A.栅氧化层厚度
B.衬底掺杂浓度
C.沟道长度
D.氧化层固定电荷

单项选择题‎某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（）。

A.1KW
B.40Ω
C.2KW
D.100W

单项选择题CTE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，CTE的存在意味着ie必须先付出对势垒区充放电的多子电流iect后，才能建立起一定的ipe。这一过程需要的时间是（）。

A.发射结扩散电容充放电时间常数
B.集电结耗尽区延迟时间
C.集电结势垒电容经集电区充放电的时间常数
D.发射结势垒电容充放电时间常数