下列哪种薄膜技术一般不用于制备超晶格多层膜（）

单项选择题关于共振隧穿器件下列哪种说法正确（）

A.器件是基于量子隧穿效应工作
B.器件功耗较高
C.器件为量子点结构
D.器件速度较低

单项选择题采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔（）

单项选择题被高能入射电子轰击出来的样品核外电子，被称之为（）

A.特征X射线
B.背散射电子
C.透射电子
D.次级电子

单项选择题金属纳米球，当其半径必须小到多大时，才能使其基态能等于1eV（）

A.0.613nm
B.0.307nm
C.0.031nm
D.0.061nm

单项选择题关于分子电子器件下列哪种说法不正确（）

A.一个双稳态分子就可以作为电路中的一个开关
B.交叉结构分子电路的电极图形可采用纳米压印技术制备
C.器件的电学特性是由分子结构决定的
D.分子整流器只能基于有机分子本身的非对称性进行工作