A.0.613nmB.0.307nmC.0.031nmD.0.061nm
单项选择题关于分子电子器件下列哪种说法不正确()
A.一个双稳态分子就可以作为电路中的一个开关B.交叉结构分子电路的电极图形可采用纳米压印技术制备C.器件的电学特性是由分子结构决定的D.分子整流器只能基于有机分子本身的非对称性进行工作
多项选择题关于共振隧穿器件下列哪种说法准确()
A.器件为量子点结构B.器件功耗较高C.常采用BME制备的超晶格结构D.是基于量子隧穿效应工作的高速器件
单项选择题在RIE、等离子体刻蚀、离子铣三种干法刻蚀中,各向异性效果比较()
A.等离子体刻蚀>离子铣>RIEB.离子铣>等离子体刻蚀>RIEC.离子铣>RIE>等离子体刻蚀D.RIE>离子铣>等离子体刻蚀
多项选择题异质外延制备单晶纳米膜,可采用下列哪种工艺方法()
A.磁控溅射B.电子束蒸镀C.CBED.MBE
多项选择题关于ALD下列那种说法正确()
A.只能生长单组份纳米膜B.生成膜有良好的台阶覆盖特性C.可以精确控制膜厚到原子尺度D.是通过控制前驱体的剂(流)量来精确控制膜厚的