采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔（）

单项选择题被高能入射电子轰击出来的样品核外电子，被称之为（）

A.特征X射线
B.背散射电子
C.透射电子
D.次级电子

单项选择题金属纳米球，当其半径必须小到多大时，才能使其基态能等于1eV（）

A.0.613nm
B.0.307nm
C.0.031nm
D.0.061nm

单项选择题关于分子电子器件下列哪种说法不正确（）

A.一个双稳态分子就可以作为电路中的一个开关
B.交叉结构分子电路的电极图形可采用纳米压印技术制备
C.器件的电学特性是由分子结构决定的
D.分子整流器只能基于有机分子本身的非对称性进行工作

多项选择题关于共振隧穿器件下列哪种说法准确（）

A.器件为量子点结构
B.器件功耗较高
C.常采用BME制备的超晶格结构
D.是基于量子隧穿效应工作的高速器件

单项选择题在RIE、等离子体刻蚀、离子铣三种干法刻蚀中，各向异性效果比较（）

A.等离子体刻蚀>离子铣>RIE
B.离子铣>等离子体刻蚀>RIE
C.离子铣>RIE>等离子体刻蚀
D.RIE>离子铣>等离子体刻蚀