在npn窄基区晶体管的制造中，基区和发射区分别扩硼和扩磷时：高浓度发射区扩散时，基区杂质的继续扩散受到发射区杂质的影响，使正对发射区下方的基区深度与发射区外的基区深度产生差异。发射区下的基区推进深度较发射区外的基区推进深度要大时，称为发射区推进（或陷落）效应。
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