回态源扩散的杂质源有（）

多项选择题在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况引起的主要问题有（）

A.在局部阻挡掺杂
B.对器件结构造成连接或短路
C.对微小器件结构造成沟型损伤
D.整片硅片报废

多项选择题分结深是重要的结构参数，在检验时发现超浅结注入时，判断其造成原因有（）

A.快速热退火及升温速度和保持时间是否准确
B.检查是否有沟道效应
C.检查注入能量系统
D.检查注入速度和时间是否准确

多项选择题以下是离子注入过程中的主要参数的是（）

A.剂量与束流密度
B.射程与注入能量
C.注入角度
D.晶圆

多项选择题下列可能造成离子源沾污的因素是（）

A.离子源是否被沾污
B.真空系统是否漏气
C.原材料是否满足纯度要求
D.光刻胶的碱性元素沾污

多项选择题离子注入机扫描系统中，采用的扫描方式有（）

A.静电扫描
B.机械扫描
C.混合扫描
D.平行扫描