‌以下对于晶体生长描述正确的是​（）

单项选择题‏以下对于半导体的描述错误的是‍（）

A.半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域
B.第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛
C.在制备半导体时，需要高纯的原材料，杂质越少越好
D.目前硅片向大尺寸的方向发展，目前正在建设300mm的生产线

单项选择题半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性‍？（）

A.光生伏特效应
B.电致发光特性
C.高纯特性
D.高完整特性

单项选择题以下对于半导体材料电学特性描述正确的是​（）

A.电子空穴导电
B.电阻率随温度的增加而增加
C.构成P-N结，加正向电压无电流通过，加反向电压有电流通过

单项选择题‏以下几种材料为宽禁带半导体的是‎（）

A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN

多项选择题等离子体增强化学气相沉积中等离子体的作用是（）

A.将反应物中的气体分子激活成活性离子，降低反应所需的温度
B.加速反应物在表面的扩散作用（表面迁移），提高成膜速度
C.对于基体及膜层表面具有溅射作用，溅射掉那些结合不牢的粒子，加强了形成的薄膜和基板的附着力
D.等离子体能够降低镀膜气体分子的平均自由程