A.晶体的生长单元比例x=NA/N,如果x〉50%就是粗糙界面,x〈50%就是光滑界面B.x=50%是粗糙界面,x=0%或者100%为光滑界面C.界面的相对吉布斯自由能与x无关D.对于粗糙面,晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长
单项选择题以下对于晶体生长描述正确的是()
A.晶体生长是平衡过程。B.晶面的法向生长速度越快,就越容易留下来;反之则容易消失。C.晶体的原子最密排面表面能最低。D.晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。
单项选择题以下对于半导体的描述错误的是()
A.半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域B.第三代半导体的性能要优于第一代半导体,且应用更为广泛C.在制备半导体时,需要高纯的原材料,杂质越少越好D.目前硅片向大尺寸的方向发展,目前正在建设300mm的生产线
单项选择题半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性?()
A.光生伏特效应B.电致发光特性C.高纯特性D.高完整特性
单项选择题以下对于半导体材料电学特性描述正确的是()
A.电子空穴导电B.电阻率随温度的增加而增加C.构成P-N结,加正向电压无电流通过,加反向电压有电流通过
单项选择题以下几种材料为宽禁带半导体的是()
A.SiB.GeC.GaAsD.GaN