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单项选择题

A.其阈值电压应该是正的B.强反时,其空间电荷区中的电荷应该是负的C.积累状态时所加的栅电压应该是负的D.其费……

一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中,()

A.其阈值电压应该是正的
B.强反时,其空间电荷区中的电荷应该是负的
C.积累状态时所加的栅电压应该是负的
D.其费米势应该是负的